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2022年学术进展系列之49:3044永利官网vip纳米光子学团队在InP基量子点发光器件研究中取得新进展
2022-09-01 10:27  

高性能InP基量子点发光二极管(QLED)的开发已成为当前环保显示和照明技术的发展趋势。然而,与已经投入工业应用的CdQLED相比,InPQLED的效率和稳定性仍然面临巨大挑战。近日,纳米光子学团队赵家龙教授研究组采用胶体NiOxMg掺杂NiOx纳米晶体来制备双层空穴注入层(HIL),以取代经典的PEDOT:PSS HIL来构建高性能InPQLED。与PEDOT:PSSHILQLED相比,双层HIL使器件的外量子效率从7.6%提高到11.2%,并且在1000 cd m-2的高亮度下,T95寿命延长了约7倍。研究发现器件性能的提高归因于双层HIL减少了空穴注入的失配势垒,并缩小了ITO/空穴传输层界面的势垒差,以促进载流子平衡注入,实现了高效辐射复合。本研究结果表明,使用具有pNiOx的双层HIL可能是制备高性能InPQLED的有效方法。

工作Boosting electroluminescence performance of all-solution-processed InP-based quantum dot light-emitting diodes using bi-layered inorganic hole injection layer为题发表在Photonics Research(中科院物理与天体物理1区)上

 

 

论文作者:李虬䶮(博士生)曹盛(通讯作者)于鹏(博士生)宁美静(硕士生)邢珂(博士生)杜振涛邹炳锁赵家龙(通讯作者)

论文链接:https://opg.optica.org/prj/fulltext.cfm?uri=prj-10-9-2133&id=497590

 


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